SK海力士对外透露，将加速提升第六代10纳米级（1c）工艺的占比，同时扩大DDR5及面向AI服务器的LPDDR5 SOCAMM的销售规模，以此优化DRAM产品组合，聚焦高附加值领域。针对HBM需求的快速增长，公司计划在年底前将M15X工厂的产能调整至最高水平，全力扩大HBM4的生产。基于此，SK海力士预计，到第四季度，HBM4在出货量和营收方面将双双超过HBM3E，成为核心产品。在NAND闪存业务上，公司计划在第四季度将321层工艺在韩国本土产能中的占比提升至超过50%，从而增加高性能、大容量eSSD的供应量。（界面）
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